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TOKライブラリーとは

東京応化工業の業務の中で出てくるキーワードや専門用語を取りまとめたデータベースです。

イオンクロマトグラフ

原料、製品に含まれている不純物イオン(Cl−など)、有機酸などを測定しています。

EUV

ArFエキシマレーザーの次の露光光源として有望視されている波長13.5 nmの極端紫外線。

ウェハ薄片化

半導体パッケージ内に複数のチップを積層化するためにウェハを薄化すること。

ウェハレベルCSP

チップサイズと同等か、わずかに大きいパッケージの総称。

液浸露光技術

液体の屈折率を利用して、さらに微細な加工を行う技術。露光機の投影レンズと、露光対象となるフォトレジストとの間に液体を満たして露光する。

液状フォトレジスト

液体状のフォトレジスト。

液中パーティクルカウンター

半導体が微細になればなるほど、製品中のパーティクル(ごみ)の管理も厳しくなってきています。より小さな粒子を、より正確に測定する必要があります。測定試料を分析装置のセル内に通し、そこにレーザー光を当て、その散乱により粒径と個数を測定します。

ArF液浸露光装置

この装置はArF液浸露光装置です。液浸露光方式とは、従来の露光方式では投影レンズとフォトレジスト上に空気(屈折率=1)を満たし回路パターンを転写したものを、空気の代わりに液体(水:屈折率=1.44)を満たし、液体の屈折率を利用してより微細な回路パターンの転写を可能にした技術です。現在、この液浸露光装置は最先端の半導体生産技術の1つとして注目されており、東京応化では最新鋭の研究開発棟へこの液浸露光装置をレジストメーカーとしては世界で初めて導入し、300mmウェハ対応装置など最先端の設備環境の中、45nmプロセス移行の先端材料の開発に注力しています。

ArF露光装置

縮小投影露光法を用いて、マスクと呼ばれる回路図の原版をシリコンウェハ上に塗布されたフォトレジスト上に転写する装置です。リソグラフィー工程で最も重要な装置が、この露光機であるといえます。現在の最先端半導体量産工場では、ArFエキシマレーザー(波長:193nm)を搭載した装置が主流であり、東京応化の開発部門でも半導体メーカーの量産工場にあるものと同等の装置を用いて、開発品の性能評価を行っています。

化学増幅型フォトレジスト

光化学反応により触媒作用のある酸を生成させ、露光の後に行われる熱処理プロセスにおいてこの酸を触媒としてレジストポリマー中の官能基を反応させ、この時の物性変化を利用してパターンを形成する。

核磁気共鳴装置

SCM(超伝導マグネット)、分光計、データ処理部から成り、強い磁場の中に試料を置きNMRスペクトルを測定します。スペクトルを解析することにより、有機化合物の構造解析をします。

カラーフィルター用顔料分散型ブラックレジスト

液晶ディスプレイの画像のコントラストを向上させるブラックマトリクスを形成するために用いられるフォトレジスト。あらかじめ顔料で黒色に着色したフォトレジストで、カラーフィルター上にパターニングされたまま残ることによってブラックマトリクスを形成する。

感光性樹脂版

フィルムや金属板上に感光性樹脂層を形成した印刷版材。

ガストロマトグラフ

ガスクロマトグラフは常温で気体もしくは加熱すれば気化するものの測定に用いられます。多くの有機溶剤がこの範疇に入るので有機溶剤の分析・定量に用いられます。東京応化では主に現像液や剥離液の有機溶剤を混合した製品の成分定量、レジストの溶剤組成の定量。原料の受入れ検査等に幅広く用いられています。

g線・i線・KrFエキシマレーザー・ArFエキシマレーザー

フォトリソグラフィプロセスでの露光光源の名称。より微細な加工を行うため、波長が次の通り短波長化されてきた。
g線(波長436 nm)→i線(波長365 nm)→KrFエキシマレーザー(波長248 nm)→ArFエキシマレーザー(波長193 nm)

ゲル浸透クロマトグラフ

樹脂の分子量を測定しています。原料樹脂の受入れ検査時および、レジスト組成比分析に用います。測定対象によって分離用カラムを使い分けています。

高速液体クロマトグラフィー

ガスクロマトグラフにかけられない(気化しない)原料や製品の純度検査、添加剤添加量測定などに用います。分離された各成分個々のUV吸収スペクトルも見ることが出来、物質の同定にも使用しています。微量分析には検出器が質量分析器となっているLC−MS(LiquidChromatography/MassSpectrometer)を用いる場合もあります。

サンドブラスト

加工物の表面に細かい砂や金属などの研磨材を吹き付ける加工法。プラズマディスプレイのバリアリブ形成や、ガラス表面への絵付け、金属上のペンキの除去などに利用されている。

紫外分光光度計

レジストの紫外(UV)スペクトル(光の透過率)測定。UVは特定の分子構造に対し大きな吸収を示します。この吸収強度の比により、樹脂と感光剤濃度比率、染料濃度等の管理を行っています。

自動滴定装置

酸・アルカリを使用した中和滴定・電位差滴定などをすることにより製品の濃度測定、原料の酸価測定を行ないます。東京応化では、主に現像液の濃度管理に使用しています。

自動粘度測定装置

主にキャノンフェスケ粘度計を用いています。レジストの粘度は、塗布時の膜厚に大きく影響するため、重要な管理項目になっており、正確に合わせる必要があります。同じ製品種でも複数の粘度製品があります。

水分計

原料溶剤、樹脂、添加剤類、レジスト類の水分の含有率を電量滴定・容量滴定(カールフィッシャー法)によって測定します。水分管理は、その後の反応などに影響するため意外と重要な検査項目になっています。

測長SEM

LSIの電気特性を管理する目的でシリコンウェハを非破壊で測定できるように開発された電子顕微鏡です。半導体の電気特性管理において、最も重要なのは各種パターンの寸法制御です。この装置はフォトレジスト像の上空画像からCD(CriticalDimension)値として寸法を数値化することができます。また、近年の微細化に伴いパターン線幅の微小なバラツキ(LWR:LineWidthRoughness)がトランジスタ性能を低下させることから、LWRを低減する材料開発などもこの装置を活用して行っています。

断面SEM

SEMは電子顕微鏡の一種であり、電子線をX方向・Y方向にスキャン(走査)することで生じる2次電子・反射電子を検出器に取り込んだ信号から像形成を行っています。測長SEMで観察できないフォトレジストパターン断面像の撮影が可能です。断面SEMから得られる情報としては、レジストの矩形性、露光時の定在波により生じるラフネス(StandingWave)や基板界面との化学的相互作用による裾引きや食い込みといった形状異常などが挙げられます。これらの形状異常は後に行われるエッチング工程における、シリコン基板の加工性能に影響することから、重要な評価項目となっています

電子線

陰極から発生する放射線。

塗布現像装置

半導体製造のリソグラフィー工程に使用されるほぼ全ての化学薬品を扱う装置です。東京応化の化学薬品もこの装置内でシリコンウェハの加工に使用されています。一般的にはフォトレジストの塗布と加熱処理、アルカリ現像といった工程を行うユニットを高密度に積層しています。微細化への寄与度が大きい露光装置に対し、Trackは生産性(歩留まり)向上に対するテクノロジーが多く搭載されています。東京応化の提供する化学薬品類もこれらの技術と密接な関係にあり、生産性向上に寄与する材料設計を行っています。

ドライフィルムレジスト

薄いフィルム状のフォトレジスト。

ナフトキノン系フォトレジスト

芳香族化合物のベンゼン環に2つのカルボニル基を持つジカルボニル化合物の総称をキノンという。その中で、芳香環がナフタレン環の場合をナフトキノンと呼び、このナフトキノンの光反応を利用してパターンを形成する。

ネガ型フォトレジスト

露光した後に現像という処理を行うと、露光された部分が像として残るフォトレジスト。

PS版

アルミ板の上に薄い感光層を形成した印刷版材。

フォトレジスト

光に反応して化学的に作用・変化する樹脂で、感光性樹脂とも呼ばれている。

フォトレジスト膜形成

液状フォトレジストは、スピンコート、スプレーコート、カーテンコート、スリットコート等によって膜を形成する。ドライフィルムレジストは、ラミネートによって膜を形成する。

フレキソ印刷

フレキソグラフィー/FLEXOGRAPHY印刷の略。活版印刷と同じく、凸状の版で印刷する印刷方式。

母型取り

像を形成した感光性樹脂版を利用し、金属や樹脂の型を取ること。

ポジ型フォトレジスト

露光した後に現像という処理を行うと、露光されなかった部分が像として残るフォトレジスト。

膜厚計

レジストをウェハに塗布した際の膜厚管理は、その後の特性に大きく影響するため重要です。レジストを塗布したウェハに光を当て、反射干渉光を分析する事により塗布膜厚を測定しています。塗布条件により膜厚も大きく変化します。

有機EL

有機エレクトロルミネッセンス(organic electroluminescence)の略。
ある種の有機物に電圧をかけると発光する現象。

誘導結合プラズマ質量分析装置

原料、製品に含まれている微量金属を検出する装置です。どのくらい金属が入っているのかを計測することが可能。一度に多種の金属を測定する事が出来ます。金属不純物は半導体の電気特性に大きな影響を与えるため、特に重要な管理項目となっています。